Neuer NAND-Flash ebnet den Weg für supergünstige, extra große SSDs

SK Hynix hat einen neuen 4D-NAND-Flash mit riesigen 238 Schichten entwickelt, der den Weg für schnelle und umfangreiche neue ebnet SSDs, hat das Unternehmen bekannt gegeben.

Der neue Speicherchip, der auf der Bühne des Flash Memory Summit in Santa Clara vorgestellt wurde, wird als der „weltweit erste 238-Layer-512-Gb-TLC-4D-NAND“ beschrieben und soll in der ersten Hälfte des Jahres 2023 in die Massenproduktion gehen.

Verglichen mit dem vorherigen 176-Layer-Modell soll das neue NAND 50 % schnellere Datenübertragungsgeschwindigkeiten (bei 2.4 Gbit/s), 21 % höhere Energieeffizienz beim Datenlesen und eine 34 % höhere Gesamtproduktivität bieten.

Mit der Einführung des 238-Layer-Produkts wird SK hynix den Rekord für den weltweit höchsten NAND-Stack vom konkurrierenden Hersteller Micron schnappen, dessen neuestes Modell schlappe 232 Layer aufweist.

238-Layer-4D-NAND-Flash

NAND-Flash ist eine Art nichtflüchtiger Speicher, der in allen Arten von Speichergeräten enthalten ist, z Speicherkarten, USB-Sticks und tragbare Laufwerke zu SSDs für Server und Client-Geräte.

Der allgemeine Trend in der NAND-Flash-Entwicklung geht in Richtung einer Reduzierung der Kosten pro Kapazität und einer Erhöhung der Speicherdichte, wodurch die letzten verbleibenden Anwendungsfälle für herkömmliche Flash-Speicher effektiv eliminiert werden Festplattenlaufwerke. Die Ankunft des 238-lagigen Produkts von SK hynix markiert einen weiteren Schritt auf diesem Weg.

Im Gegensatz zu anderen NAND-Produkten auf dem Markt verfügen die neuesten Chips im Sortiment des Unternehmens über eine „4D“-Architektur, bei der die Logikschaltkreise unter den Speicherzellen platziert sind. Laut SK Hynix ermöglicht dieses Design eine „kleinere Zellfläche pro Einheit, was zu einer höheren Produktionseffizienz führt“.

„SK hynix sicherte sich durch die Einführung des 238-Layer-Produkts auf Basis seiner 4D-NAND-Technologien weltweit eine erstklassige Wettbewerbsfähigkeit in Bezug auf Kosten, Leistung und Qualität“, sagte Jungdal Choi, Leiter der NAND-Entwicklung bei SK hynix.

Vielleicht anders als erwartet wird das neue 238-Layer-NAND zunächst seinen Weg zu Client-Geräten finden, was Content-Ersteller und PC-Gamer für Aufregung sorgen wird. Erst später kommt der neue Chip dazu Smartphones und Hochleistungsserver.

SK Hynix gab außerdem bekannt, dass es ein 1-Tb-238-Layer-Produkt entwickelt, das die Speicherdichte des neuesten Chips verdoppeln wird, wenn er nächstes Jahr auf den Markt kommt. „Wir werden Innovationen fortsetzen, um Durchbrüche bei technologischen Herausforderungen zu finden“, fügte Choi hinzu.

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