SK hynix פיתחה פלאש NAND 4D חדש עם 238 שכבות ענק, וסוללת את הדרך לחדשים מהירים ומרווחים. SSD כך הודיעה החברה.
שבב הזיכרון החדש, שנחשף על הבמה ב-Flash Memory Summit בסנטה קלרה, מתואר כ"238 השכבות הראשון בעולם 512Gb TLC 4D NAND" וצפוי להיכנס לייצור המוני במחצית הראשונה של 2023.
בהשוואה לדגם הקודם בעל 176 השכבות, ה-NAND החדש אמור להציע מהירויות העברת נתונים מהירות יותר ב-50% (ב-2.4Gb/sec), יעילות אנרגטית גדולה יותר ב-21% לקריאות נתונים ועלייה של 34% בפריון הכללי.
הגעתו של המוצר בן 238 השכבות תראה את SK hynix יחטוף את שיא ערימת ה-NAND הגבוהה בעולם מהיצרנית המתחרה Micron, שהדגם האחרון שלה כולל 232 שכבות עלובות.
פלאש NAND 238D בעל 4 שכבות
פלאש NAND הוא סוג של זיכרון לא נדיף שמופיע בכל מיני התקני אחסון, מ כרטיסי זיכרון , מקלות USB ו כוננים ניידים ל-SSD עבור שרתים ומכשירי לקוח.
המגמה הכללית בפיתוח פלאש NAND היא לכיוון הפחתה בעלות לקיבולת והגדלת צפיפות האחסון, ולמעשה מבטלת את מקרי השימוש האחרונים שנותרו עבור מסורתיים כוננים קשיחים . הגעתו של המוצר בן 238 השכבות מבית SK hynix מסמנת צעד נוסף במסע הזה.
בניגוד למוצרי NAND אחרים בשוק, השבבים האחרונים במגוון של החברה כוללים ארכיטקטורת "4D", לפיה המעגלים הלוגיים ממוקמים מתחת לתאי האחסון. SK hynix אומר שעיצוב זה מאפשר "שטח תאים קטן יותר ליחידה, מה שמוביל ליעילות ייצור גבוהה יותר".
"SK hynix הבטיחה את התחרותיות העולמית ברמה הגבוהה ביותר בפרספקטיבה של עלות, ביצועים ואיכות על ידי הצגת המוצר בעל 238 השכבות המבוסס על טכנולוגיות ה-4D NAND שלה", אמר יונגדל צ'וי, ראש פיתוח NAND ב-SK hynix.
אולי בניגוד למצופה, ה-NAND החדש בן 238 השכבות יעשה את דרכו תחילה למכשירי לקוח, מה שייתן ליוצרי תוכן ולשחקני PC סיבה לריגוש. רק מאוחר יותר יגיע השבב החדש טלפונים חכמים ושרתים בעלי קיבולת גבוהה.
SK hynix גם חשפה שהיא מפתחת מוצר 1Tb 238 שכבות, שיכפיל את צפיפות האחסון של השבב האחרון כשיגיע בשנה הבאה. "נמשיך בחידושים כדי למצוא פריצות דרך באתגרים טכנולוגיים", הוסיף צ'וי.
בְּאֶמצָעוּת חסימות ותיקים (נפתח בלשונית חדשה)