SK hynix は、巨大な 4 レイヤーを備えた新しい 238D NAND フラッシュを開発し、高速で大容量の新しい SSD、同社は発表した。
サンタクララで開催されたフラッシュ メモリ サミットのステージで発表された新しいメモリ チップは、「世界初の 238 層 512Gb TLC 4D NAND」と表現され、2023 年前半に大量生産に入る予定です。
SK hynix は、巨大な 4 レイヤーを備えた新しい 238D NAND フラッシュを開発し、高速で大容量の新しい SSD、同社は発表した。
サンタクララで開催されたフラッシュ メモリ サミットのステージで発表された新しいメモリ チップは、「世界初の 238 層 512Gb TLC 4D NAND」と表現され、2023 年前半に大量生産に入る予定です。
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